HMC407MS8GETR جزو ايسي هاي مخابراتي و پاور آمپليفاير روي فرکانس 5 تا 7 گيگاهرتز ميباشد.ترانزيستور پيوند نامتناجس (به انگليسي heterojunction bipolar transistor (HBT) ) نوعي از ترانزيستور است که از نيمه هادي‌هاي متفاوتي در ناحيه اميتر و بيس ساخته شده و يک پيوند نامتناجس به وجود آمده است. برتري HBT نسبت به BJT اين است که مي‌تواند در فرکانس‌هاي بسيار بالا تا حدود چند صد گيگاهرتز کار کند. از اين ترانزيستور معمولاً در مدارات نسل جديد بسيار سريع و فرکانس راديويي که نيازمند راندمان بالا نيز هست، مانند گوشي تلفن همراه، استفاده مي‌شود.

The HMC407MS8G & HMC407MS8GE are high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC Power amplifi ers which operate between 5 and 7 GHz. The amplifi er requires no external matching to achieve operation and is thus truly 50 Ohm matched at input and output. The amplifi er is packaged in a low cost, surface mount 8 leaded package with an exposed base for improved RF and thermal performance. The amplifi er provides 15 dB of gain, +29 dBm of saturated power at 28% PAE from a +5V supply voltage. Power down capability is available to conserve current consumption when the amplifi er is not in use. --Typical Applications This amplifi er is ideal for use as a power amplifi er for 5 - 7 GHz applications: • UNII • HiperLAN