ماسفت N
FQFP8N60C
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology.
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج:
قیمت تک فروشی 490,412 ریال
قیمت عمده 434,360 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 426,513 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده422,589 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.802 تتر با تخفیف
3.883.43.333.29
|
|
|
|
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
130 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
140 نانو ثانيه |
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
1255 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
135 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
1.2 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
28 نانو کولن |
|
توضیحات
ماسفت منفي 600 ولت 7.5 آمپر
اين ماسفت ها بصورت گسترده در منبع تغذيه هاي AC-DC، مبدل هاي DC -DC و کنترلر موتور مورد استفاده قرار ميگيرند.
*کاربرد ها:
*منبع تغذيه هاي سوييچينگ
*مدار هاي سوييچ قدرت
*اينورتر ها
*کاربرد و اهداف عمومي
ماسفت (MOSFET) مخفف عبارت Meta Oxide Semiconductor Field Effect Transistor است و همانطور که از نام آن مشخص است از نوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (Field Effect Transistor = FET) مي باشد.
برخلاف ترانزيستورهاي BJT که برمبناي کنترل جريان عمل مي کنند، ماسفت ها بر مبناي کنترل ولتاژ عمل مي کنند و به جاي سه پايه ي Base و Collector و Emitter داراي سه پايه ي Gate و Source و Drain مي باشند.
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchilds proprietary,
planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switched mode power supplies,
active power factor correction, electronic lamp ballasts
based on half bridge topology.
*Features:
*7.5A, 600V, RDS(on) = 1.2Ohm @VGS = 10 V
*Low gate charge ( typical 28 nC)
*Low Crss ( typical 12 pF)
*Fast switching
*100% avalanche tested
* Improved dv/dt capability
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد