IGBT
GT60J323
NChannel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: 2-21F2C
قیمت تک فروشی 1,569,585 ریال
قیمت عمده 1,499,176 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,471,012 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,456,931 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 2.517 تتر با تخفیف
12.61211.7611.64
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
170 وات |
|
توضیحات
GT60J323 يک IGBT منفي ميباشد.
اين قطعه که در سال 1980 توسط شرکت معتبر جنرال الکتريک معرفي شد که
ترکيبي بسيار کارآمد و هوشمندانه از بهترين بخش هاي دو ترانزيستور پيوندي دو قطبي (BJT) و ترانزيستور اثر ميدان (MOSFET) است.
ويژگي هاي منحصر به فرد اين قطعه، امپدانس ورودي بزرگ، سرعت سوئيچينگ بالا و ولتاژ اشباع پايين آن است.
Description
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT60J323H
Current Resonance Inverter Switching -Application
Induction Heating- Cooking Appliances
• Enhancement mode type
• High speed : tf = 0.12 us (typ.) (IC = 60A)
• Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.1 V (typ.) (IC = 60A)
• FRD included between emitter and collector
• Fourth generation IGBT
• TO-3P(LH) (Toshiba package name)
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد