ماسفت کانال P
FDN360P
MOSFET P-Channel 30 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SOT-23
قیمت تک فروشی 82,961 ریال
قیمت عمده 71,468 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 70,318 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده69,743 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.135 تتر با تخفیف
0.60.50.490.49
|
|
|
|
نوع عملکرد |
POWER-TRENCH Function Type |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
0.5 وات |
|
|
زمان خيز Tr |
23 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
12 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
298 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
83 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
125 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
9 نانو کولن |
|
توضیحات
اين ماسفت ها بصورت گسترده در منبع تغذيه هاي AC-DC، مبدل هاي DC -DC و کنترلر موتور مورد استفاده قرار ميگيرند.
*کاربرد ها:
*منبع تغذيه هاي سوييچينگ
*مدار هاي سوييچ قدرت
*اينورتر ها
*کاربرد و اهداف عمومي
ماسفت (MOSFET) مخفف عبارت Meta Oxide Semiconductor Field Effect Transistor است و همانطور که از نام آن مشخص است از نوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (Field Effect Transistor = FET) مي باشد.
برخلاف ترانزيستورهاي BJT که برمبناي کنترل جريان عمل مي کنند، ماسفت ها بر مبناي کنترل ولتاژ عمل مي کنند و به جاي سه پايه ي Base و Collector و Emitter داراي سه پايه ي Gate و Source و Drain مي باشند.
Description
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced
using Fairchild Semiconductor advanced Power Trench
process that has been especially tailored to minimize
the on-state resistance and yet maintain low gate
charge for superior switching performance.
These devices are well suited for low voltage and
battery powered applications where low in-line power
loss and fast switching are required.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد