ماسفت کانال N
SIS412DN
30V 12A N Mosfet
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج:
قیمت تک فروشی 127,792 ریال
قیمت عمده 93,654 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 92,061 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده91,265 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.21 تتر با تخفیف
10.70.690.68
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
435 پيکو فاراد |
|
|
حداکثر توان مصرفي |
15.6 وات |
|
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
95 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.024 اهم |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
3.8 نانو کولن |
|
توضیحات
اين ماسفت ها بصورت گسترده در منبع تغذيه هاي AC-DC، مبدل هاي DC -DC و کنترلر موتور مورد استفاده قرار ميگيرند.
*کاربرد ها:
*منبع تغذيه هاي سوييچينگ
*مدار هاي سوييچ قدرت
*اينورتر ها
*کاربرد و اهداف عمومي
ماسفت (MOSFET) مخفف عبارت Meta Oxide Semiconductor Field Effect Transistor است و همانطور که از نام آن مشخص است از نوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (Field Effect Transistor = FET) مي باشد.
برخلاف ترانزيستورهاي BJT که برمبناي کنترل جريان عمل مي کنند، ماسفت ها بر مبناي کنترل ولتاژ عمل مي کنند و به جاي سه پايه ي Base و Collector و Emitter داراي سه پايه ي Gate و Source و Drain مي باشند.
Description
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
FEATURES
• TrenchFET® power MOSFET
• 100 % Rg tested
• Material categorization:
for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
• Notebook PC
- System power
- Load switch
**--PRODUCT SUMMARY:
**VDS (V) 30
**RDS(on) max. (Ohm) at VGS = 10 V 0.024
**RDS(on) max. (Ohm) at VGS = 4.5 V 0.030
**Qg typ. (nC) 3.8
**ID (A) 12 a
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد