|
ماسفت کانال N
SUB60N06 D2PACK
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: D2PAK
قیمت تک فروشی 481,524 ریال
قیمت عمده 424,583 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 416,611 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده412,626 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.754 تتر با تخفیف
3.923.433.363.33
|
|
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
| حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
|
|
| حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
|
|
|
|
| ظرفيت خازني ورودي Ciss |
2050 پيکو فاراد |
|
|
|
|
|
|
|
| ظرفيت خازني خروجي Coss |
158 پيکو فاراد |
|
| مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.018 اهم |
|
| مجموع شارژ کامل Qg |
50 نانو کولن |
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميدان نيمه‌رساناي اکسيد فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) يا ماسفت، يک گزينه عالي براي تقويت‌کننده‌هاي خطي سيگنال کوچک است، زيرا امپدانس ورودي آن بسيار زياد است که باياس آن را ساده مي‌کند. براي اينکه يک ماسفت، خاصيت تقويت‌کنندگي خطي داشته باشد، برخلاف ترانزيستور دوقطبي، بايد در ناحيه اشباع کار کند. اما، مانند ترانزيستور دوقطبي بايد حول يک نقطه کار ثابت مرکزي باياس شود. ماسفت‌ها در ناحيه هدايت خود جريان را عبور مي‌دهند که «کانال» (Channel) ناميده مي‌شود. با اعمال ولتاژ مناسب به گيت، مي‌توان اين کانال هدايت را بزرگ‌تر يا کوچک‌تر کرد. اعمال اين ولتاژ گيت به ترانزيستور، بر مشخصه الکتريکي کانال اثر خواهد گذاشت و يک ميدان الکتريکي حول پايه گيت القا مي‌کند. به همين دليل است که اين ترانزيستر، اثر ميدان ناميده مي‌شود.
Description
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET---
The advantage of the MOSFET was that it was relatively compact and easy to mass-produce compared to the competing planar junction transistor, but the MOSFET represented a radically new technology, the adoption of which would have required spurning the progress that Bell had made with the bipolar junction transistor (BJT). The MOSFET was also initially slower and less reliable than the BJT.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد