|
ماسفت کانال N
FDD8580
20V 35A N-channel MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-252
قیمت تک فروشی 168,921 ریال
قیمت عمده 145,299 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 143,173 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده142,110 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.265 تتر با تخفیف
1.10.90.880.87
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
| حداکثر توان مصرفي |
49.5 وات |
|
| حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
| ظرفيت خازني ورودي Ciss |
1445 پيکو فاراد |
|
| ظرفيت خازني خروجي Coss |
450 پيکو فاراد |
|
| مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.009 اهم |
|
|
|
توضیحات
«ترانزيستور اثر ميدان نيمه‌رساناي اکسيد فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) يا ماسفت، يک گزينه عالي براي تقويت‌کننده‌هاي خطي سيگنال کوچک است، زيرا امپدانس ورودي آن بسيار زياد است که باياس آن را ساده مي‌کند. براي اينکه يک ماسفت، خاصيت تقويت کنندگي خطي داشته باشد، برخلاف ترانزيستور دوقطبي، بايد در ناحيه اشباع کار کند. اما، مانند ترانزيستور دوقطبي بايد حول يک نقطه کار ثابت مرکزي باياس شود. ماسفت‌ها در ناحيه هدايت خود جريان را عبور مي‌دهند که «کانال» (Channel) ناميده مي‌شود. با اعمال ولتاژ مناسب به گيت، مي‌توان اين کانال هدايت را بزرگ‌تر يا کوچک‌تر کرد. اعمال اين ولتاژ گيت به ترانزيستور، بر مشخصه الکتريکي کانال اثر خواهد گذاشت و يک ميدان الکتريکي حول پايه گيت القا مي‌کند. به همين دليل است که اين ترانزيستر، اثر ميدان ناميده مي‌شود.
Description
The metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET), also known as the metal-oxide-silicon transistor (MOS transistor, or MOS), is a type of insulated-gate field-effect transistor that is fabricated by the controlled oxidation of a semiconductor, typically silicon. The voltage of the covered gate determines the electrical conductivity of the device; this ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد