ماسفت کانال N
NCE30P12S
30V 12A P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SOP-8
قیمت تک فروشی 229,202 ریال
قیمت عمده 174,402 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 171,113 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده169,469 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.39 تتر با تخفیف
21.51.471.46
|
|
حداقل دماي کاري |
-65 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
1750 پيکو فاراد |
|
|
|
|
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
215 پيکو فاراد |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
24 نانو کولن |
|
توضیحات
از ويژگي هاي اين ماسفت ميتوان به RDS پايين و عملکرد با ولتاژ گيت تا 4.5 ولت اشاره کرد . ترانزيستور اثر ميدان نيمهرساناي اکسيد فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) يا ماسفت، يک گزينه عالي براي تقويتکنندههاي خطي سيگنال کوچک است، زيرا امپدانس ورودي آن بسيار زياد است که باياس آن را ساده ميکند. براي اينکه يک ماسفت، خاصيت تقويتکنندگي خطي داشته باشد، برخلاف ترانزيستور دوقطبي، بايد در ناحيه اشباع کار کند. اما، مانند ترانزيستور دوقطبي بايد حول يک نقطه کار ثابت مرکزي باياس شود. ماسفتها در ناحيه هدايت خود جريان را عبور ميدهند که «کانال» (Channel) ناميده ميشود. با اعمال ولتاژ مناسب به گيت، ميتوان اين کانال هدايت را بزرگتر يا کوچکتر کرد. اعمال اين ولتاژ گيت به ترانزيستور، بر مشخصه الکتريکي کانال اثر خواهد گذاشت و يک ميدان الکتريکي حول پايه گيت القا ميکند. به همين دليل است که اين ترانزيستر، اثر ميدان ناميده ميشود.
Description
The NCE30P12S uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a
load switch or in PWM applications.
-High Power and current handing capability
- Lead free product is acquired
-Surface mount package
--Application
-PWM applications
-Load switch
-Power management
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد