IGBT
IRGIB10B60KD1P
600V 10A N-Channel IGBT
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220F
قیمت تک فروشی 895,440 ریال
قیمت عمده 781,648 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 766,855 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده759,459 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 1.471 تتر با تخفیف
7.56.56.376.3
|
|
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
41 نانو کولن |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
99 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
915 پيکو فاراد |
|
|
|
توضیحات
IGBTها به طور گسترده در کاربردهاي الکترونيک قدرت مانند اينورترها، مبدلها و منابع تغذيه که به قطعات سوئيچينگ حالت جامد نياز داشته و ماسفتها و BJTها در آنجا کارايي لازم را ندارند، مورد استفاده قرار ميگيرند. ترانزيستورهاي دو قطبي ولتاژ بالا و جريان بالا در دسترس هستند، اما سرعت سوئيچينگ آنها پايين است.
Description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
-----
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10?s Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Maximum Junction Temperature Rated at 175°C
• Lead-Free
• UL Certified
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد