ماسفت کانال N
TK16A60 K16A60 BULK
600V 15.8A N-Channel MOSFET
کیفیت: Bulk(فله ایی) پکیج: TO-220FP-3
قیمت تک فروشی 523,340 ریال
قیمت عمده 415,931 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 408,413 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده404,653 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.89 تتر با تخفیف
4.413.433.363.33
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
25 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
1350 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
35 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.19 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
38 نانو کولن |
|
توضیحات
ماسفت (MOSFET) مخفف عبارت Meta Oxide Semiconductor Field Effect Transistor است و همانطور که از نام آن مشخص است از نوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (Field Effect Transistor = FET) مي باشد.
برخلاف ترانزيستورهاي BJT که برمبناي کنترل جريان عمل مي کنند، ماسفت ها بر مبناي کنترل ولتاژ عمل مي کنند و به جاي سه پايه ي Base و Collector و Emitter داراي سه پايه ي Gate و Source و Drain مي باشند.
کاربرد ماسفت به عنوان سوييچ
براي استفاده از ماسفت به عنوان يک سوييچ کافي است ولتاژ gate نسبت به Source بيشتر باشد. به اين اختلاف ولتاژ VGS يعني اختلاف ولتاژ بين Gate و Source گويند. بديهي است که هرگاه پين Gate را به پين Source متصل کنيم در اين صورت VGS = 0 مي گردد پس در نتيجه هيچ جرياني از Drain خارج نمي شود و سوييچ باز خواهد بود.
Description
TK16A60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)
1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 ? (typ.)
by used to Super Junction Structure : DTMOS
(2) Easy to control Gate switching
(3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 0.79 mA)
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد