IGBT
IRG7IC28UPBF
High-speed, high-voltage, insulated gate bipolar transistor (IGBT)
کیفیت: Refurbished پکیج: TO-220AB
قیمت تک فروشی 511,440 ریال
قیمت عمده 452,385 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 444,117 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده439,983 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.806 تتر با تخفیف
43.53.433.4
|
|
حداقل دماي کاري |
-40 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
70 نانو کولن |
|
توضیحات
اين IGBT به طور خاص براي برنامه هاي کاربردي در پانل هاي نمايش پلاسما طراحي شده است. اين دستگاه از فناوري پيشرفته ترانچ IGBT براي دستيابي به VCE (روشن) پايين و نرخ پالس پايين در هر ناحيه سيليکوني استفاده مي کند که کارايي پانل را بهبود مي بخشد. ويژگي هاي اضافي دماي محل اتصال 150 درجه سانتي گراد و قابليت پيک جريان تکراري بالا است. اين ويژگي ها با هم ترکيب مي شوند تا اين IGBT را به دستگاهي بسيار کارآمد، قوي و قابل اعتماد براي برنامه هاي PDP تبديل کنند
Description
This IGBT is specifically designed for applications in Plasma Display Panels. This device utilizes advanced trench IGBT technology to achieve low VCE(on) and low PULSE rate per silicon area which improve panel efficiency. Additional features are 150°C operating junction temperature and high repetitive peak current capability. These features combine to make this IGBT a highly efficient, robust and reliable device for PDP applications
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد