ماسفت کانال N
HY4008W
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-247
قیمت تک فروشی 737,078 ریال
قیمت عمده 707,550 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 695,739 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده689,834 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 1.164 تتر با تخفیف
5.2554.94.85
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
397 وات |
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
18 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
54 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
25 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
7398 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
1027 پيکو فاراد |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
195 نانو کولن |
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي نوعي ترانزيستور اثر ميداني است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor is a type of field-effect transistor, most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد