|
ماسفت کانال N
GP28S50G IRGP28S50G TO-220F
N-Channel Power MOSFET in TO-220F Package
کیفیت: Used(دست دوم) پکیج:
قیمت تک فروشی 741,038 ریال
قیمت عمده 683,952 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 671,392 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده665,113 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.225 تتر با تخفیف
65.55.395.34
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر توان مصرفي |
255 وات |
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-50 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
| حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
| مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.125 اهم |
|
|
|
| مجموع شارژ کامل Qg |
40.7 نانو کولن |
|
توضیحات
*ماسفت (MOSFET) مخفف عبارت Meta Oxide Semiconductor Field Effect Transistor است و همانطور که از نام آن مشخص است از نوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (Field Effect Transistor = FET) مي باشد.
برخلاف ترانزيستورهاي BJT که برمبناي کنترل جريان عمل مي کنند، ماسفت ها بر مبناي کنترل ولتاژ عمل مي کنند و به جاي سه پايه ي Base و Collector و Emitter داراي سه پايه ي Gate و Source و Drain مي باشند.
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET), also known as the metal–oxide–silicon transistor (MOS transistor, or MOS) is a type of insulated-gate field-effect transistor (IGFET) that is fabricated by the controlled oxidation of a semiconductor, typically silicon. The voltage of the covered gate determines the electrical conductivity of the device; this ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد