| 
               IGBT 
              IKW30N65H5 
              High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP 5 technology copacked with RAPID 1 * 650V * 30A * 1.65V * K30EH5 
              کیفیت: ORIGINAL(distributor)       پکیج: TO-247  
               قیمت تک فروشی  4,417,335  ریال    
               قیمت عمده   4,213,652  ریال (10 به بالا)   
               قیمت ویژه  4,132,179  ریال (100 به بالا)   
              قیمت فوق العاده4,091,442  ریال (1000 به بالا)   
                 قیمت تک فروشی  4.739  تتر با تخفیف 
                20.7919.819.419.21 
         | 
	
        
                      
     
                          
                        
                 
                   
                  
            
            
              
                  
	
		| 
                          
                          
                       | 
	
		| 
                          
                          
                       | 
	
		| 
                          
                          
                       | 
	
		
                          
                              
                                  
                                       | حداکثر دماي کاري | 
                                       150     سانتيگراد  | 
                                   
                               
                           
                          
                       | 
	
		
                          
                              
                                  
                                       | حداقل دماي کاري | 
                                       -55     سانتيگراد  | 
                                   
                               
                           
                          
                       | 
	
		| 
                          
                          
                       | 
	
		| 
                          
                          
                       | 
	
		
                          
                              
                                  
                                       | IGBT RISE TIME | 
                                       11     نانو ثانيه  | 
                                   
                               
                           
                          
                       | 
	
		
                          
                              
                                  
                                       | IGBT FALL TIME | 
                                       19     نانو ثانيه  | 
                                   
                               
                           
                          
                       | 
	
                  
				
                  
                     
                  
	
		
                          توضیحات
			              	
			              	    ترانزيستور دوقطبي گيت عايق يک وسيله نيمه هادي قدرت سه ترمينالي است که در درجه اول يک سوئيچ الکترونيکي را تشکيل مي دهد. اين براي ترکيب بازده بالا با سوئيچينگ سريع توسعه يافته است. اين شامل چهار لايه متناوب است که توسط يک ساختار دروازه فلز-اکسيد-نيمه هادي کنترل مي شود.
			              	 
                                
  
                          
                             Description
                              
                                     An insulated-gate bipolar transistor is a three-terminal power semiconductor device primarily forming an electronic switch. It was developed to combine high efficiency with fast switching. It consists of four alternating layers that are controlled by a metal–oxide–semiconductor gate structure.
                               
                       | 
	
                  
                  
				
               
		
            
		 
           
                  
                   
         
 
 
	
        کلیه حقوق این سایت متعلق به  فروشگاه Skytech  می باشد