ترانزیستور IGBT
IRGP4068D-EPBF
IGBT Transistors 600V UltraFast Trnch w/Ultra-Low VF Diod
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-247AD
قیمت تک فروشی 2,134,826 ریال
قیمت عمده 2,021,669 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,983,196 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,963,959 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 3.685 تتر با تخفیف
17.8216.8316.4916.33
|
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
3025 پيکو فاراد |
|
|
حداکثر توان مصرفي |
330 وات |
|
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
245 پيکو فاراد |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
140 نانو کولن |
|
|
توضیحات
اين ماسفت ها بصورت گسترده در منبع تغذيه هاي AC-DC، مبدل هاي DC -DC و کنترلر موتور مورد استفاده قرار ميگيرند.
*کاربرد ها:
*منبع تغذيه هاي سوييچينگ
*مدار هاي سوييچ قدرت
*اينورتر ها
*کاربرد و اهداف عمومي
ماسفت (MOSFET) مخفف عبارت Meta Oxide Semiconductor Field Effect Transistor است و همانطور که از نام آن مشخص است از نوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (Field Effect Transistor = FET) مي باشد.
برخلاف ترانزيستورهاي BJT که برمبناي کنترل جريان عمل مي کنند، ماسفت ها بر مبناي کنترل ولتاژ عمل مي کنند و به جاي سه پايه ي Base و Collector و Emitter داراي سه پايه ي Gate و Source و Drain مي باشند.
Description
Features
• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology
• Low Switching Losses
• Maximum Junction temperature 175 °C
• 5 uS short circuit SOA
• Square RBSOA
• 100% of the parts tested for ILM
• Positive VCE (ON) Temperature co-efficient
• Ultra-low VF Hyperfast Diode
• Tight parameter distribution
• Lead Free Package
-Benefits:
• Device optimized for induction heating and soft switching
applications
• High Efficiency due to Low VCE(on), Low Switching Losses
and Ultra-low VF
• Rugged transient Performance for increased reliability
• Excellent Current sharing in parallel operation
• Low EMI
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد