ماسفت کانالN
HY1620P
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج:
قیمت تک فروشی 870,018 ریال
قیمت عمده 831,330 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 815,855 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده808,117 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.933 تتر با تخفیف
4.033.843.763.72
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
214 وات |
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
45 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
50 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
10 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
3900 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
359 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
154 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.032 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
90 نانو کولن |
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي نوعي ترانزيستور اثر ميداني است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند 200V/60 A RDS(ON) = mW (نوع.) @ VGS =10V قابل اعتماد و ناهموار بدون سرب وGreenDevicesAvailable (RoHS Compliant) 100% تست شده بهمن
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor is a type of field-effect transistor, most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device
200V/60 A
RDS(ON)
= mW (typ.) @ VGS
=10V
Reliable and Rugged
Lead Free andGreenDevicesAvailable
(RoHS Compliant)
100% avalanche tested
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد