توضیحات
خانواده دستگاه‌هاي S29GL512/256/128N يک حافظه فلش 3.0 ولتي هستند که با استفاده از فناوري MirrorBit 110 نانومتري ساخته شده‌اند. S29GL512N يک 512 مگابيت است که به صورت 33,554,432 کلمه يا 67,108,864 بايت سازماندهي شده است. S29GL256N يک 256 مگابيت است که به صورت 16,777,216 کلمه يا 33,554,432 بايت سازماندهي شده است. S29GL128N يک 128 مگابيت است که به صورت 8,388,608 کلمه يا 16,777,216 بايت سازماندهي شده است. اين دستگاه ها داراي يک گذرگاه داده گسترده 16 بيتي هستند که همچنين مي تواند با استفاده از ورودي BYTE# به عنوان يک گذرگاه داده گسترده 8 بيتي عمل کند. دستگاه را مي توان در سيستم ميزبان يا در برنامه نويسان استاندارد EPROM برنامه ريزي کرد.
Description
The S29GL512/256/128N family of devices are 3.0V single power flash memory manufactured using 110 nm MirrorBit technology. The S29GL512N is a 512 Mbit, organized as 33,554,432 words or 67,108,864 bytes. The S29GL256N is a 256 Mbit, organized as 16,777,216 words or 33,554,432 bytes. The S29GL128N is a 128 Mbit, organized as 8,388,608 words or 16,777,216 bytes. The devices have a 16-bit wide data bus that can also function as an 8-bit wide data bus by using the BYTE# input. The device can be programmed either in the host system or in standard EPROM programmers.
|