ترانزیستور مخابراتی
2SC3356 SMD
NPN Silicon RF Transistor
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SOT-23-3L
قیمت تک فروشی 178,450 ریال
قیمت عمده 121,300 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 119,014 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده117,871 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.309 تتر با تخفیف
1.510.980.97
|
|
|
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-65 سانتيگراد |
|
|
توضیحات
ترانزيستورها به دو دسته کلي تقسيم ميشوند: ترانزيستورهاي اتصال دوقطبي (BJT) و ترانزيستورهاي اثر ميداني (FET). اِعمال جريان در BJTها، و ولتاژ در FETها بين ورودي و ترمينال مشترک، رسانايي بين خروجي و ترمينال مشترک را افزايش ميدهد، از اينرو سبب کنترل شدت جريان بين آنها ميشود. مشخصات ترانزيستورها به نوع آنها بستگي دارد. شکل ظاهري ترانزيستورها با توجه به توان و فرکانس کاريشان متفاوت است.
در مدارهاي آنالوگ، ترانزيستورها در تقويتکنندهها استفاده ميشوند (تقويت سيگنالهايي مانند صوت، امواج راديويي، ...) و نيز منابع تغذيه تثبيتشده خطي و غيرخطي (منبع تغذيه سوييچينگ). در مدارهاي ديجيتال از ترانزيستورها به عنوان سوييچ (کليد) الکترونيکي استفاده ميشود، اگر چه به ندرت به صورت يک قطع? جداگانه، بلکه به صورت بههمپيوسته در مدارهاي مجتمع يکپارچه به کار ميروند. مدارهاي ديجيتال شامل گيتهاي منطقي (logic gates)، حافظه با دسترسي تصادفي (RAM)، ريزپردازندهها و پردازندههاي سيگنال ديجيتال (DSP) هستند.
Description
2SC3356
NPN Silicon RF Transistor
NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold
-FEATURES:
• Low noise and high gain : NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
• High power gain : MAG = 13 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz
----Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد