ترانزیستور PNP
TIP42C
100V 6A PNP BJT Transistor
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220
قیمت تک فروشی 259,400 ریال
قیمت عمده 236,540 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 232,425 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده230,368 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.449 تتر با تخفیف
21.81.761.75
|
توضیحات
TIP42C يک ترانزيستور از نوع PNP مي باشد.اين ترانزيستور حد اکثر جريان 6 آمپر و ولتاژ 100 ولت راميتواند تحمل کند. توان اين ترانزيستور 65 وات مي باشد .
ترانزيستور در بسته بندي TO-220 پلاستيکي ميباشد.
کاربرد اين ترانزيستور در تقويت کننده هاي صوتي مي باشد.
ترانزيستور TIP122 ترانزيستور دارلينگتون NPN قدرت
بيشينه ولتاژ و جريان 100V , 5A
Power dissipation 65W
پکيج TO-220
ترانزيستور مهمترين قطع مداري در الکترونيک است و براي تقويت يا قطع و وصل سيگنالها به کار ميرود. ترانزيستور يکي از ادوات حالت جامد است که از مواد نيمهرسانايي مانند سيليسيم و ژرمانيم ساخته ميشود. يک ترانزيستور در ساختار خود داراي پيوندهاي نوع N و نوع P است.
ترانزيستورها به دو دسته کلي تقسيم ميشوند: ترانزيستورهاي اتصال دوقطبي (BJT) و ترانزيستورهاي اثر ميداني (FET). اِعمال جريان در BJTها، و ولتاژ در FETها بين ورودي و ترمينال مشترک، رسانايي بين خروجي و ترمينال مشترک را افزايش ميدهد، از اينرو سبب کنترل شدت جريان بين آنها ميشود. مشخصات ترانزيستورها به نوع آنها بستگي دارد. شکل ظاهري ترانزيستورها با توجه به توان و فرکانس کاريشان متفاوت است.
در مدارهاي آنالوگ، ترانزيستورها در تقويتکنندهها استفاده ميشوند (تقويت سيگنالهايي مانند صوت، امواج راديويي، ...) و نيز منابع تغذيه تثبيتشده خطي و غيرخطي (منبع تغذيه سوييچينگ). در مدارهاي ديجيتال از ترانزيستورها به عنوان سوييچ (کليد) الکترونيکي استفاده ميشود، اگر چه به ندرت به صورت يک قطع جداگانه، بلکه به صورت بههمپيوسته در مدارهاي مجتمع يکپارچه به کار ميروند. مدارهاي ديجيتال شامل گيتهاي منطقي (logic gates)، حافظه با دسترسي تصادفي (RAM)، ريزپردازندهها و پردازندههاي سيگنال ديجيتال (DSP) هستند.
Description
The CENTRAL SEMICONDUCTOR TIP42 SERIES
types are PNP Epitaxial-Base Silicon Power
Transistors designed for power amplifier and high
speed switching applications.
TIP42C Bipolar Transistor
Characteristics of the TIP42C bipolar transistor
Type - PNP
Collector-Emitter Voltage: -100 V
Collector-Base Voltage: -100 V
Emitter-Base Voltage: -5 V
Collector Current: -6 A
Collector Dissipation - 65 W
DC Current Gain (hfe) - 15 to 75
Transition Frequency - 3 MHz
Operating and Storage Junction Temperature Range -65 to +150 °C
Package - TO-220
Plastic Medium-Power
Complementary Silicon
Transistors
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
applications.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد