ماسفت کانال N
FQA38N30
300V 38.4A N-CHANNEL QFET MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-3PN
قیمت تک فروشی 2,454,200 ریال
قیمت عمده 2,345,000 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 2,301,320 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده2,279,480 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 2.871 تتر با تخفیف
12.61211.7611.64
|
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
4400 پيکو فاراد |
|
|
حداکثر توان مصرفي |
290 وات |
|
|
|
زمان خيز Tr |
870 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
390 نانو ثانيه |
|
|
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
870 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
90 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.085 اهم |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
120 نانو کولن |
|
شرکت توليد کننده |
FAIRCHILD |
|
توضیحات
اين ترانزيستورهاي اثر ميدان قدرت حالت بهبود N-Channel با استفاده از فناوري DMOS اختصاصي، نوار مسطح Fairchild توليد ميشوند. اين فناوري پيشرفته به ويژه براي به حداقل رساندن مقاومت در حالت، ارائه عملکرد سوئيچينگ برتر و مقاومت در برابر پالس انرژي بالا در حالت بهمن و کموتاسيون طراحي شده است. اين دستگاه ها براي منبع تغذيه حالت سوئيچ با راندمان بالا، تصحيح ضريب توان، بالاست لامپ الکترونيکي بر اساس نيم پل مناسب هستند.
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar
stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche
and commutation mode. These devices are well suited for high
efficiency switch mode power supply, power factor correction,
electronic lamp ballast based on half bridge.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد