ماسفت کانال N
FDV303N (303)
N-CHANNEL 25V (D-S) MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SOT-23-3
قیمت تک فروشی 78,250 ریال
قیمت عمده 75,000 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 73,700 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده73,050 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.093 تتر با تخفیف
0.420.40.390.39
|
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
8 ولت |
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
50 پيکو فاراد |
|
|
حداکثر توان مصرفي |
350 وات |
|
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
28 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
450 اهم |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
2.3 نانو کولن |
|
توضیحات
اين قطعه از فرآيند بسيار با چگالي بالا توليد شده است که بهطور خاص براي کاهش مقاومت حالت روشن در شرايط ولتاژ گيت پايين طراحي شده است. اين دستگاه بهويژه براي کاربردهاي مدارهاي باتري، که شامل يک باتري ليتيوم يا سه سلول کادميوم يا ني-ام-اچ ميباشد، طراحي شده است. همچنين ميتوان از آن بهعنوان يک معکوسکننده (inverter) يا براي تبديل DC/DC با راندمان بالا در دستگاههاي الکترونيکي قابل حمل و کوچک مانند تلفنهاي همراه و پيجرها استفاده کرد. اين دستگاه حتي در ولتاژهاي گيت پايين مانند ?.? ولت، مقاومت حالت روشن عالي دارد.
ويژگيها - **VDS** (ولتاژ در حالت درين-سورس): ?? ولت - **ID** (جريان در حالت درين): ? آمپر - **RDS(ON)**: کمتر از ?? ميلياهم در ولتاژ گيت ?.? ولت - **RDS(ON)**: کمتر از ?? ميلياهم در ولتاژ گيت ?.? ولت - نياز به ولتاژ گيت پايين براي راهاندازي، که امکان کار مستقيم در مدارهاي ? ولت را فراهم ميکند. **VGS(th)** کمتر از ? ولت. - وجود ديود زنر بين گيت و سورس براي مقاومت در برابر ESD. مقاومت در برابر مدل بدن انسان بيشتر از ? کيلوولت. - بستهبندي سطحي استاندارد SOT-23 با ابعاد کوچک.
پينآوت (در بستهبندي SOT-23) 1. **GATE** (گيت) 2. **SOURCE** (سورس) 3. **DRAIN** (درين)
Description
This very high density process is tailored to minimize on-state resistance at low gate drive conditions. This device is designed especially for application in battery circuits using either one lithium or three cadmium or NiMH cells. It can be used as an inverter or for high-efficiency miniature discrete DC/DC conversion in compact portable electronic devices like cellular phones and pagers. This device has excellent on-state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5 volts.
**Features** - VDS (V) = 25V - ID = 2A - RDS(ON) < 28m? (VGS = 4.5V) - RDS(ON) < 42m? (VGS = 2.7V) - Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) < 1V. - Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model. - Compact industry standard SOT-23 surface mount package.
**Pinout (SOT-23)** 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد