|
راه انداز گیت
CID12N65D
High-Performance 650-V GaN Transistor with Integrated Gate Driver
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: DFN-6x8mm
قیمت تک فروشی 1,204,228 ریال
قیمت عمده 1,147,190 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,124,375 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,112,968 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.379 تتر با تخفیف
6.836.56.376.3
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
125 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-40 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
توضیحات
CID12N65D يک کد شناسايي براي يک نوع خاص از ترانزيستور قدرت است که از ماده گاليم نيترييد (GaN) ساخته شده است. GaN يک نيمه‌رسانا است که به دليل خواص منحصر به فرد خود، مانند مقاومت بالا در برابر دما و ولتاژ، در ساخت قطعات الکترونيکي با کارايي بالا مورد استفاده قرار مي‌گيرد.
ترانزيستور GaN چيست؟
ترانزيستورهاي GaN نوعي ترانزيستور اثر ميداني (FET) هستند که از ماده گاليم نيترييد به جاي سيليکون ساخته مي‌شوند. اين ترانزيستورها نسبت به ترانزيستورهاي سيليکوني سنتي، مزاياي قابل توجهي دارند که عبارتند از:
سرعت سوئيچينگ بالاتر: ترانزيستورهاي GaN مي‌توانند با سرعت بسيار بالاتري نسبت به ترانزيستورهاي سيليکوني روشن و خاموش شوند. اين ويژگي باعث مي‌شود که آن‌ها در کاربردهايي که نياز به سوئيچينگ سريع دارند، بسيار مفيد باشند.
افت ولتاژ کمتر: ترانزيستورهاي GaN افت ولتاژ کمتري دارند، به اين معني که انرژي کمتري در هنگام سوئيچينگ هدر مي‌رود. اين ويژگي باعث افزايش راندمان سيستم مي‌شود.
توانايي تحمل دماي بالاتر: ترانزيستورهاي GaN مي‌توانند در دماهاي بسيار بالاتر از ترانزيستورهاي سيليکوني کار کنند. اين ويژگي باعث مي‌شود که آن‌ها براي کاربردهايي که نياز به کارکرد در محيط‌هاي سخت دارند، مناسب باشند.
چگالي توان بالاتر: ترانزيستورهاي GaN مي‌توانند توان بيشتري را در يک بسته کوچک‌تر مديريت کنند. اين ويژگي باعث مي‌شود که آن‌ها براي کاربردهايي که نياز به کوچک‌سازي هستند، مناسب باشند.
Description
CID12N65D is an identification code for a specific type of power transistor made from gallium nitride (GaN) material. GaN is a semiconductor that is used in the manufacture of high-performance electronic components due to its unique properties, such as high resistance to temperature and voltage.
What is a GaN transistor?
GaN transistors are a type of field-effect transistor (FET) that are made from gallium nitride instead of silicon. These transistors have significant advantages over traditional silicon transistors, including:
Faster switching speed: GaN transistors can turn on and off at a much higher speed than silicon transistors. This feature makes them very useful in applications that require fast switching.
Lower voltage drop: GaN transistors have lower voltage drop, meaning less energy is wasted during switching. This feature increases system efficiency.
Higher temperature tolerance: GaN transistors can operate at much higher temperatures than silicon transistors. This feature makes them suitable for applications that require operation in harsh environments.
Higher power density: GaN transistors can handle more power in a smaller package. This feature makes them suitable for applications that require miniaturization.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد