راه انداز گیت
IVCR1401DR
35V 4A SiC and IGBT Driver with Integrated Negative Bias
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SOIC-8
قیمت تک فروشی 790,478 ریال
قیمت عمده 753,022 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 738,040 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده730,549 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.925 تتر با تخفیف
4.324.124.033.99
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-40 سانتيگراد |
|
|
شرکت توليد کننده |
InventChip |
|
توضیحات
IVCR1401 يک درايور هوشمند تک کاناله و پرسرعت 4A است که قادر است به طور موثر و ايمن ماسفت هاي SiC و IGBT را رانندگي کند. درايو قوي با باياس منفي ايمني نويز را در برابر اثر ميلر در عملکرد dv/dt بالا بهبود مي بخشد. تشخيص عدم اشباع حفاظت از اتصال کوتاه قوي را فراهم مي کند و خطر آسيب دستگاه برق و اجزاي سيستم را کاهش مي دهد. يک زمان خالي 200 ثانيه ثابت براي جلوگيري از فعال شدن پيش از موعد محافظت در برابر جريان اضافه با تغيير نويز و نويز جريان لبه درج شده است. UVLO ولتاژ درايو گيت مثبت قابل برنامه ريزي و حفاظت UVLO باياس منفي ثابت ولتاژهاي عملکرد گيت سالم را تضمين مي کند. هنگامي که UVLO يا جريان بيش از حد اتفاق مي افتد، يک سيستم فعال سيگنال خطاي کم هشدار مي دهد. تاخير انتشار کم و عدم تطابق با يک پد حرارتي در معرض اختياري، ماسفت هاي SiC را قادر مي سازد در صدها کيلوهرتز سوئيچ کنند. توليد ولتاژ منفي يکپارچه و خروجي مرجع 5 ولت تعداد قطعات خارجي را به حداقل مي رساند.
Description
The IVCR1401 is a 4A single-channel, highspeed smart driver, capable of efficiently and safely driving SiC MOSFETs and IGBTs. Strong drive with a negative bias improves noise immunity against Miller effect at high dv/dt operation. Desaturation detection provides robust short circuit protection and reduces the risk of power device and system component damage. A fixed 200ns blanking time is inserted to prevent overcurrent protection from being prematurely trigged by switching edge current spike and noise. Programmable positive gate drive voltage UVLO and fixed negative bias UVLO protection ensures healthy gate operation voltages. An active low fault signal alerts system when UVLO or over current happens. Low propagation delay and mismatch with an optional exposed thermal pad enables SiC MOSFETs to switch at hundreds of kHz. Integrated negative voltage generation and 5V reference output minimize external component count.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد