|
حافظه FLASH
HY29F040AT-70
512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TSOP-32
قیمت تک فروشی 2,549,381 ریال
قیمت عمده 2,428,725 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 2,380,463 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده2,356,331 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 3.015 تتر با تخفیف
15.5914.8514.5514.4
|
توضیحات
HY29F040A يک دستگاه حافظه فلش CMOS 4 مگابيت و 5.0 ولتي است که به صورت 512 کيلوبايت با 8 بيت سازماندهي شده است. اين دستگاه در بسته هاي استاندارد PDIP 32 پين، PLCC 32 پين و TSOP 32 پين ارائه مي شود.
طراحي شده است تا در سيستم با منبع تغذيه 5.0 ولت برنامه ريزي و پاک شود و همچنين مي تواند در برنامه نويس هاي استاندارد PROM دوباره برنامه ريزي شود. HY29F040A زمان هاي دسترسي 55 ns، 70 ns، 90 ns، 120 ns و 150 ns را ارائه مي دهد.
اين دستگاه داراي کنترل هاي تراشه فعال (/CE)، فعال کردن نوشتن (/WE) و فعال کردن خروجي (/OE) است. دستگاه هاي حافظه فلش هيونداي حتي پس از 100000 دوره برنامه/پاک کردن، به طور قابل اعتمادي اطلاعات حافظه را ذخيره مي کنند. HY29F040A کاملاً تنظيم پين و دستور است که با استاندارد JEDEC براي دستگاه هاي حافظه فلش 4 مگابيتي سازگار است.
دستورات با استفاده از زمان‌بندي استاندارد نوشتن ريزپردازنده در رجيستر فرمان نوشته مي‌شوند. محتويات رجيستر به عنوان ورودي به يک دستگاه حالت داخلي که مدار پاک کردن و برنامه نويسي را کنترل مي کند، عمل مي کند. چرخه‌هاي نوشتن همچنين آدرس‌ها و داده‌هاي مورد نياز براي برنامه‌نويسي و پاک کردن عمليات را به صورت داخلي قفل مي‌کنند.
Description
The HY29F040A is a 4 Megabit, 5.0 volt-only CMOS Flash memory device organized as a 512K bytes of 8 bits each. The device is offered in standard 32-pin PDIP, 32-pin PLCC and 32-pin TSOP packages.
It is designed to be programmed and erased in-system with a 5.0 volt power-supply and can also be reprogrammed in standard PROM programmers. The HY29F040A offers access times of 55 ns, 70 ns, 90 ns, 120 ns and 150 ns.
The device has separate chip enable (/CE), write enable (/WE) and output enable (/OE) controls. Hyundai Flash memory devices reliably store memory data even after 100,000 program/erase cycles. The HY29F040A is entirely pin and command set compatible with the JEDEC standard for 4 Megabit Flash memory devices.
The commands are written to the command register using standard microprocessor write timings. Register contents serve as input to an internal state-machine which controls the erase and programming circuitry. Write cycles also internally latch addresses and data needed for the programming and erase operations.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد