ماسفت کانال N
IPB072N15N3 G (072N15N)
150V 100A OPTIMOS POWER TRANSISTOR
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: PG-TO263-3
قیمت تک فروشی 1,464,600 ریال
قیمت عمده 1,397,000 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,369,960 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,356,440 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.598 تتر با تخفیف
6.836.56.376.3
|
|
|
|
|
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
7.2ميلي اهم |
|
|
توضیحات
ترانزيستور IPB072N15N3 G از نوع N-Channel و ساخت شرکت Infineon است که با فناوري OptiMOS طراحي شده و براي کاربردهاي قدرت بالا مناسب است. اين ترانزيستور داراي ولتاژ شکست 150 ولت و قابليت عبور جريان تا 100 آمپر ميباشد. مقاومت در حالت روشن (RDS(on)) آن بسيار پايين و حدود 7.2 ميلياهم است که باعث کاهش تلفات و افزايش بازده ميشود. اين قطعه براي منابع تغذيه سوئيچينگ، درايو موتور و سيستمهاي باتري پرقدرت کاربرد دارد. بستهبندي آن از نوع D2PAK است که براي نصب سطحي و استفاده در فضاهاي محدود طراحي شده است.
Description
The IPB072N15N3 G is an N-channel power MOSFET from Infineon, designed using OptiMOS technology and suitable for high-power applications. It features a breakdown voltage of 150 V and supports continuous current up to 100 A. With an extremely low RDS(on) of about 7.2 m Ohm, it ensures low conduction losses and high efficiency. This transistor is ideal for use in switching power supplies, motor drives, and high-power battery systems. It comes in a D2PAK surface-mount package, optimized for compact designs.
|
| موضوع | نوع فایل | |
| IPB072N15N3 G (072N15N) ديتاشيت | PDF |
دانلود فایل
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد