ماسفت کانال N
FDA24N50F
500V, 24A, 200mΩ N-Channel MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-3PN
قیمت تک فروشی 2,048,400 ریال
قیمت عمده 1,854,960 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,820,141 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,802,731 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 2.198 تتر با تخفیف
9.68.648.478.38
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
270 وات |
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
220 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
185 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
4310 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
600 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
48 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.2 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
85 نانو کولن |
|
شرکت توليد کننده |
Fairchild |
|
توضیحات
«ترانزيستور اثر ميدان نيمهرساناي اکسيد فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) يا ماسفت، يک گزينه عالي براي تقويتکنندههاي خطي سيگنال کوچک است، زيرا امپدانس ورودي آن بسيار زياد است که باياس آن را ساده ميکند. براي اينکه يک ماسفت، خاصيت تقويت کنندگي خطي داشته باشد، برخلاف ترانزيستور دوقطبي، بايد در ناحيه اشباع کار کند. اما، مانند ترانزيستور دوقطبي بايد حول يک نقطه کار ثابت مرکزي باياس شود. ماسفتها در ناحيه هدايت خود جريان را عبور ميدهند که «کانال» (Channel) ناميده ميشود. با اعمال ولتاژ مناسب به گيت، ميتوان اين کانال هدايت را بزرگتر يا کوچکتر کرد. اعمال اين ولتاژ گيت به ترانزيستور، بر مشخصه الکتريکي کانال اثر خواهد گذاشت و يک ميدان الکتريکي حول پايه گيت القا ميکند. به همين دليل است که اين ترانزيستر، اثر ميدان ناميده ميشود.
Description
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage
MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.
This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to
provide better switching performance and higher avalanche
energy strength. The body diode’s reverse recovery performance of UniFET FRFET® MOSFET has been enhanced by
lifetime control. Its trr is less than 100nsec and the reverse dv/dt
immunity is 15V/ns while normal planar MOSFETs have over
200nsec and 4.5V/nsec respectively. Therefore, it can remove
additional component and improve system reliability in certain
applications in which the performance of MOSFET’s body diode
is significant. This device family is suitable for switching power
converter applications such as power factor correction (PFC),
flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد