IGBT
SGT40N60FD2PN CODE:TGAN40N60FD
40A 600V FIELSD STOP IGBT
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-3P
قیمت تک فروشی 632,667 ریال
قیمت عمده 607,207 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 597,022 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده591,930 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 1.078 تتر با تخفیف
4.684.464.374.32
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
+150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
100 نانو کولن |
|
IGBT RISE TIME |
88 نانو ثانيه |
|
IGBT FALL TIME |
96 نانو ثانيه |
|
توضیحات
SGT40N60FD2PN (P7) (PT) با استفاده از فناوري Field Stop III IGBT، عملکرد بهينه را براي گرمايش القايي، UPS، SMPS و کاربرد PFC ارائه مي دهد.
IGBT ترکيبي از ترانزيستورهاي BJT و MOSFET است. IGBT از نقطه نظر ورودي يک MOSFET و از نقطه نظر خروجي BJT است. BJT و MOSFET داراي ويژگي هايي هستند که از برخي ديدگاه ها مکمل يکديگر هستند. BJT ها در حالت روشن (اتصال) تلفات رسانايي کمتري دارند، در حالي که زمان سوئيچينگ آنها طولاني تر است، به خصوص هنگامي که خاموش هستند. ماسفتها ميتوانند خيلي سريعتر روشن و خاموش شوند، بنابراين تلفات هدايت آنها بيشتر است. IGBT ترانزيستوري است که داراي مزاياي BJT و MOSFET است. مانند امپدانس ورودي بالا (مانند MOSFET)، افت و تلفات ولتاژ پايين (مانند BJT)، ولتاژ پايين در حالت (مانند BJT) و نام پايه هاي IGBT از نام پايه هاي BJT و MOSFET گرفته شده است. گيت از MOSFET و جمع کننده و اميتر از BJT. مهمترين و تقريباً تنها عملکرد IGBT سوئيچينگ جريان هاي بالا است.
Description
SGT40N60FD2PN(P7)(PT) using Field Stop III IGBT technology, offers the optimum performance for induction Heating, UPS, SMPS and PFC application.
IGBT is a combination of BJT and MOSFET transistors. The IGBT is a MOSFET from the input point of view, and a BJT from the output point of view. BJT and MOSFET have characteristics that complement each other from some points of view. BJTs have lower conduction losses in the on (connected) state, while their switching times are longer, especially when turned off. MOSFETs are able to switch on and off much faster, so their conduction losses are higher. IGBT is a transistor that has the advantages of BJT and MOSFET. such as high input impedance (such as MOSFET), low voltage drop and losses (such as BJT), low on-state voltage (such as BJT), and the names of IGBT bases are derived from the names of BJT and MOSFET bases; Gate from MOSFET, and collector and emitter from BJT. The most important and almost the only function of IGBT is switching high currents.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد