ماسفت کانال N
IRLR3410TRPBF
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-252
قیمت تک فروشی 592,125 ریال
قیمت عمده 441,000 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 432,940 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده428,910 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.635 تتر با تخفیف
2.7521.961.94
|
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
16 ولت |
|
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
800 پيکو فاراد |
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
53 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
26 نانو ثانيه |
|
|
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
160 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.105 اهم |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
34 نانو کولن |
|
توضیحات
HEXFET هاي نسل پنجم از International Rectifier از تکنيک هاي پردازش پيشرفته براي دستيابي به کمترين مقاومت ممکن در هر ناحيه سيليکوني استفاده مي کنند. اين مزيت، همراه با سرعت سوئيچينگ سريع و طراحي ناهموار دستگاه که ماسفت هاي برقي HEXFET به خوبي به آن شهرت دارند، دستگاهي بسيار کارآمد را براي استفاده در کاربردهاي مختلف در اختيار طراح قرار مي دهد.
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد