|
IGBT
IHW25N120R2
1200V 25A Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: PG-TO-247-3
قیمت تک فروشی 573,259 ریال
قیمت عمده 550,628 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 541,575 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده537,049 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.983 تتر با تخفیف
4.163.963.883.84
|
|
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
| حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| ظرفيت خازني ورودي Ciss |
2342 پيکو فاراد |
|
|
|
| حداکثر توان مصرفي |
365 وات |
|
|
|
| ظرفيت خازني خروجي Coss |
68.7 پيکو فاراد |
|
توضیحات
ترانزيستور دوقطبي گيت عايق يک وسيله نيمه هادي قدرت سه ترمينالي است که در درجه اول يک سوئيچ الکترونيکي را تشکيل مي دهد. اين براي ترکيب بازده بالا با سوئيچينگ سريع توسعه يافته است. اين شامل چهار لايه متناوب است که توسط يک ساختار دروازه فلز-اکسيد-نيمه هادي کنترل مي شود.
Description
An insulated-gate bipolar transistor is a three-terminal power semiconductor device primarily forming an electronic switch. It was developed to combine high efficiency with fast switching. It consists of four alternating layers that are controlled by a metal–oxide–semiconductor gate structure.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد