ماسفت کانال N
FQP4N90C
900V, 4A, 4.2Ω N-Channel Power MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220
قیمت تک فروشی 844,000 ریال
قیمت عمده 743,250 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 729,145 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده722,093 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.905 تتر با تخفیف
43.53.433.4
|
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
960 پيکو فاراد |
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
110 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
80 نانو ثانيه |
|
|
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
85 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
4.2 اهم |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
22 نانو کولن |
|
توضیحات
اين ماسفت توان حالت بهبود N-Channel با استفاده از نوار مسطح اختصاصي Fairchild Semiconductor و فناوري DMOS توليد شده است. اين فناوري پيشرفته ماسفت به ويژه براي کاهش مقاومت در حالت روشن و ارائه عملکرد سوئيچينگ عالي و قدرت انرژي بالا طراحي شده است. اين دستگاه ها براي منابع تغذيه حالت سوئيچ، تصحيح ضريب توان فعال (PFC) و بالاست هاي لامپ الکترونيکي مناسب هستند.
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد