ماسفت N
STP26NM60N TO-220
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology.
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220
قیمت تک فروشی 1,032,124 ریال
قیمت عمده 977,117 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 958,415 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده949,063 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 1.789 تتر با تخفیف
8.918.418.258.16
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
140 وات |
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
165 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
60 نانو کولن |
|
توضیحات
ماسفت 26NM60Nيک ماسفت فرکانس بالا با دماي عملياتي تا 150 درجه، 600 ولت و 20امپر ميباشد.
نوع ديگري از ترانزيستورهاي اثر ميدان وجود دارد که ورودي گيت آنها، از نظر الکتريکي نسبت به کانال حامل جريان عايق شده است و به همين دليل، ترانزيستور اثر ميدان با گيت ايزوله شده (Insulated Gate Field Effect Transistor) يا IGDET ناميده ميشود.
تداولترين FET با گيت ايزوله شده که در کاربردهاي مختلفي به کار ميرود، ترانزيستور اثر ميداني نيمهرساناي اکسيد فلز يا ماسفت (MOSFET) است. IGFET يا MOSFET يک ترانزيستور اثر ميدان کنترل شده با ولتاژ است که با JFET تفاوت دارد و اين تفاوت، يک الکترود گيت «اکسيد فلز» است که از نظر الکتريکي نسبت به نيمههادي اصلي کانال N يا کانال P با يک لايه بسيار نازک از ماده عايق کننده (معمولاً اکسيد سيليکون) جدا شده است.
Description
This device is an N-channel Power MOSFET
developed using the second generation of
MDmesh technology. This revolutionary Power
MOSFET associates a vertical structure to the
company’s strip layout to yield one of the world’s
lowest on-resistance and gate charge. It is
therefore suitable for the most demanding high
efficiency converters.
*Features:
* 100% avalanche tested
*Low input capacitance and gate charge
*Low gate input resistance
Applications
* Switching applications
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد