ماسفت کانال N
2SK3113
MOS Field Effect Transistor 600V 2A N-Channel
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-251
قیمت تک فروشی 196,593 ریال
قیمت عمده 162,874 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 160,177 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده158,828 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.338 تتر با تخفیف
1.51.21.181.16
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
290 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
60 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
5 پيکو فاراد |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
9 نانو کولن |
|
توضیحات
2SK3113 يک ماسفت N Chaneel ميباشد.
ترانزيستور اثر ميداني نيمهرساناي اکسيد فلز يا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گيت ورودي بسيار بزرگي دارد و جريان گذرنده از کانال بين سورس و درين با ولتاژ گيت کنترل ميشود. به دليل امپدانس ورودي و بهره بزرگ، اگر ماسفتها با دقت حفاظت نشوند، به وسيله الکتريسيته ساکن به سادگي آسيب ميبينند.
ماسفتها براي استفاده به عنوان کليدهاي الکترونيکي يا تقويت کنندههاي سورس مشترک گزينههاي ايدهآلي هستند؛ زيرا مصرف توان آنها بسيار کم است. کاربردهاي متداول ماسفتها در ريزپردازندهها، حافظهها، گيتهاي CMOS منطقي و… به کار ميروند
Description
The 2SK3113 is N-channel DMOS FET device that features
a low gate charge and excellent switching characteristic, and
designed for high voltage applications such as switching
power supply, AC adapter
--FEATURES:
• Low on-state resistance
RDS(on) = 4.4 ? MAX. (VGS = 10 V, ID = 1.0 A)
• Low gate charge
QG = 9 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 2.0 A)
• Gate voltage rating ±30 V
• Avalanche capability ratings
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد