|
ماسفت کانال N
IRFP064NPBF
Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-247
قیمت تک فروشی 676,272 ریال
قیمت عمده 648,736 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 637,721 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده632,213 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.153 تتر با تخفیف
5.144.94.84.75
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
| حداکثر توان مصرفي |
200 وات |
|
|
|
|
|
| زمان خيز Tr |
100 نانو ثانيه |
|
| زمان افت Tf |
70 نانو ثانيه |
|
| ظرفيت خازني ورودي Ciss |
4000 پيکو فاراد |
|
| ظرفيت خازني خروجي Coss |
1300 پيکو فاراد |
|
|
|
| مجموع شارژ کامل Qg |
170 نانو کولن |
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي نوعي ترانزيستور اثر ميداني است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor is a type of field-effect transistor, most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد