|
ماسفت کانال N
IPA65R150
650V 22A N-Channel MOSFET in TO-220 Package
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220
قیمت تک فروشی 1,700,091 ریال
قیمت عمده 1,590,485 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,559,795 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,544,451 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 2.818 تتر با تخفیف
14.413.4413.1713.04
|
|
|
|
|
|
|
| نوع عملکرد |
PWOER Function Type |
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
| حداکثر توان مصرفي |
195.3 وات |
|
|
|
| زمان خيز Tr |
7.6 نانو ثانيه |
|
| زمان افت Tf |
5.6 نانو ثانيه |
|
|
|
| حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
| ظرفيت خازني ورودي Ciss |
2340 پيکو فاراد |
|
| ظرفيت خازني خروجي Coss |
110 پيکو فاراد |
|
| مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
150 اهم |
|
|
|
| مجموع شارژ کامل Qg |
15 نانو کولن |
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي نوعي ترانزيستور اثر ميداني است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند.
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor is a type of field-effect transistor, most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد