ماسفت کانال P
IRFD9024
60V 1.6A HEXFET P-CHANNEL POWER MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: HD-1
قیمت تک فروشی 601,063 ریال
قیمت عمده 520,625 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 510,973 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده506,146 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.712 تتر با تخفیف
3.462.972.912.88
|
|
|
نوع عملکرد |
Power MOSFET Function Type |
|
حداکثر دماي کاري |
+175 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
1.3 وات |
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
68 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
29 نانو ثانيه |
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
570 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
360 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
65 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.28 اهم |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
19 نانو کولن |
|
شرکت توليد کننده |
International Rectifier |
|
توضیحات
اين قطعه يک ترانزيستور نسل سوم HEXFET از شرکت International Rectifier است که ترکيبي از سوئيچينگ سريع، مقاومت روشن پايين، طراحي مقاوم و صرفهجويي در هزينه را ارائه ميدهد. اين ترانزيستور در پکيج 4 پين DIP عرضه ميشود که مناسب براي نصب ماشيني و قابل چيدمان در ترکيبهاي چندتايي روي فاصله استاندارد 0.1 اينچ است. طراحي پين دوگانه درين بهعنوان يک پيوند حرارتي عمل کرده و انتقال حرارت مؤثري به سطح نصب فراهم ميکند. اين ويژگي امکان دفع توان تا سطح 1 وات را فراهم ميسازد. اين خصوصيات، اين قطعه را براي کاربردهاي قدرت پايين و طراحيهاي فشرده بسيار مناسب ميسازد.
Description
This component is a third-generation HEXFET transistor from International Rectifier, offering a combination of fast switching, low on-resistance, rugged design, and cost efficiency. It comes in a 4-pin DIP package suitable for machine insertion and can be arranged in multiple configurations on standard 0.1-inch pin spacing. The dual-drain design acts as a thermal link, providing efficient heat transfer to the mounting surface. This allows power dissipation of up to 1 watt. These features make it ideal for low-power and compact design applications.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد