ماسفت کانال N
SIHG23N60E
600V E Series N-Channel Power MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-247AC
قیمت تک فروشی 1,621,225 ریال
قیمت عمده 1,548,100 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,518,850 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,504,225 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.922 تتر با تخفیف
9.4598.828.73
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
+150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
227 وات |
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
76 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
68 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
4 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
2418 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
119 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
4 پيکو فاراد |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
63 نانو کولن |
|
|
توضیحات
SiHG23N60E يک ترانزيستور قدرت نوع N با ساختار ماسفت (MOSFET) از سري E است1. اين ترانزيستور داراي ولتاژ کاري 600 ولت و جريان کاري 23 آمپر ميباشد. ويژگيهاي آن عبارتند از:
1. مقاومت کم در مسير ديودي (Ron x Qg)
2. ظرفيت ورودي کم (Ciss)
3. کاهش خسارتهاي سوئيچينگ و هادي
4. شارژ دروازه بسيار کم (Qg)
5. مقاومت به انرژي آوالانچ (UIS) اين ترانزيستور معمولاً در منابع تغذيه سرور و تلفن همراه، منابع تغذيه حالت سوئيچ (SMPS) و منابع تغذيه تصحيح فاکتور توان (PFC) استفاده ميشود
Description
SiHG23N60E is an N-type power transistor with MOSFET structure of E series1. This transistor has a working voltage of 600 volts and a working current of 23 amperes. Its features include:
1. Low resistance in the diode path (Ron x Qg)
2. Low input capacity (Ciss)
3. Reduction of switching and conductor damages
4. Very low gate charge (Qg)
5. Avalanche Energy Resistor (UIS) This transistor is commonly used in server and mobile phone power supplies, switched mode power supplies (SMPS) and power factor correction (PFC) power supplies.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد