ماسفت کانال N
LSGN04R013WE (04R013WE)
N-channel 40V, 160A, 1.35mΩPower MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: DFN5X6
قیمت تک فروشی 880,600 ریال
قیمت عمده 839,000 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 822,360 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده814,040 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.937 تتر با تخفیف
4.243.923.88
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
+150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
1.35m اهم |
|
|
توضیحات
اين ترانزيستورهاي قدرت N-channel از نوع enhancement mode با استفاده از فناوري trench DMOS با گيت محافظ طراحي شدهاند. اين فناوري پيشرفته بهطور ويژه براي کاهش مقاومت در حالت روشن (on-state)، بهبود عملکرد سوئيچينگ، و تحمل پالسهاي انرژي بالا در شرايط آوالانچ و کموتاسيون بهينهسازي شده است. اين قطعات براي کاربردهايي با سوئيچينگ سريع و بازده بالا بسيار مناسب هستند.
ويژگيها - ولتاژ 40 ولت، جريان 160 آمپر، مقاومت روشن حداکثر 1.35 ميلياهم در VGS = 10V - قابليت بهبود يافته dv/dt - سوئيچينگ سريع - تضمين 100 درصدي توان آوالانچ (EAS) - موجود بهصورت نسخه سبز (محيطدوست)
کاربردها - مبدلهاي DC-DC - سوئيچينگ سخت و مدارهاي پرسرعت
Description
These N-Channel enhancement mode power field-effect transistors use shielded gate trench DMOS technology. This advanced technology has been specifically optimized to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulses in avalanche and commutation modes. These devices are well suited for high-efficiency, fast-switching applications.
Features - 40V, 160A, RDS(on) max = 1.35m? @ VGS = 10V - Improved dv/dt capability - Fast switching - 100% EAS guaranteed - Green device available
Applications - DC-DC converters - Hard switching and high-speed circuits
|
| موضوع | نوع فایل | |
| LSGN04R013WE (04R013WE) ديتاشيت | PDF |
دانلود فایل
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد